CVD кремний карбиди (SiC) молидани

Рӯйпӯши CVD SiC асосан як қабати карбиди кремний аст, ки дар графит гузошта шудааст ва он дар асбобҳои эпитаксия ба таври васеъ истифода мешавад, ки дар онҳо ҳам ҳарорат ва ҳам тозагӣ муҳиманд. Дар хатҳои истеҳсолии воқеӣ, шумо онро аксар вақт дар системаҳои AIXTRON, ASM/LPE, Veeco, инчунин баъзе платформаҳои марбут ба AMAT хоҳед дид. Он чизе, ки онро муфид мегардонад, на танҳо муқовимати ҳарорат, балки устувории умумӣ дар давраи тӯлонӣ мебошад. Дар шароити маъмулии эпитаксия - гидроген, аммиак ё ҳатто газҳои хлордор - рӯйпӯш нисбатан устувор мемонад ва графити зери онро муҳофизат мекунад. Ин ба нигоҳ доштани майдони гармӣ мусоидат мекунад ва эҳтимолияти пайдоиши зарраҳоро ҳангоми афзоиш кам мекунад.

Аксари вақт, рӯйпӯш ба қисмҳо ба монанди суссепторҳо, интиқолдиҳандаҳои вафлҳо, ҳалқаҳои графитӣ ё ҷузъҳои ниммоҳӣ истифода мешавад. Ҳамаи инҳо мустақиман дар гармкунӣ ё ҷойгиркунии вафлҳо иштирок мекунанд, аз ин рӯ ҳар гуна ноустувории ночиз метавонад ба ҳосилнокӣ таъсир расонад. Аз ин сабаб, қисмҳои рӯйпӯшшуда аксар вақт ҳамчун маводи истеъмолӣ баррасӣ мешаванд, ки бояд дар тӯли якчанд давра, махсусан дар истеҳсоли 4 то 12 дюйм, боэътимод бошанд.