Интиқолдиҳандаи эпитаксии суссептор бо пӯшиши SiC бо GaN / GaAs CVD

Сохтори асосӣ хеле содда аст. Мо аз ядрои графити изостатикии зичии баланд истифода мебарем ва қабати ғафси β-SiC-ро дар боло тавассути CVD мерӯёнем. Ин ба шумо гузаронандагии гармиро, ки аз графит мехоҳед, медиҳад, дар ҳоле ки пӯсти SiC химияро идора мекунад. NH₃, H₂ ва ҳар чизе, ки раванд ба он таъсир мерасонад - пӯшиш ҳамаи инро аз графити зери он дур нигоҳ медорад. Натиҷа қисме аст, ки дар фабрикаҳои нимноқилҳои GaN, GaAs, Micro-LED, RF ва power power нигоҳ медорад.

Чӣ онҳоро водор мекунад, ки дар ҷаҳони воқеӣ кор кунанд?

Дар мавриди покӣ: мо дар мавриди ашёи хоми графит серталаб ҳастем. Навъҳои изостатикие, ки мо истифода мебарем, аввал тоза ва рӯйпӯши CVD SiC хеле зич мебошанд. Ифлосшавии металл ба қадри кофӣ паст аст, ки шумо набояд дар бораи ифлосшавии камераи эпитаксии тозагии баланд хавотир шавед.

Рафтори гармӣ низ ҳамин қадар муҳим аст. Мо кӯшиш мекунем, ки профили гармиро мувофиқ созем, то ки пластина ҳарорати якхеларо дар сатҳи худ бубинад. Дар тӯли муддати тӯлонӣ дар ҳарорати баланд, гармкунии босуръат ва хунуккунӣ - суссептор дар тамоми он устувории андозаро нигоҳ медорад. Ин мувофиқат дар якхелагии ғафсӣ ва назорати таркиб пас аз анҷом зоҳир мешавад.

Ҳамлаи кимиёвӣ эҳтимолан нигаронии бузургтарин дар GaN MOCVD аст. Агар шумо ягон бор мушоҳида карда бошед, ки чӣ тавр як қисми графити луч пас аз чанд давра фарсуда мешавад, шумо медонед, ки ман чӣ маъно дорам. Рӯйпӯши SiC ин динамикаро тағйир медиҳад. Он ба газҳои раванд хеле беҳтар муқовимат мекунад ва азбаски он бо пиршавӣ маводро намерезад, шумо зарраҳои камтарро дар атрофи камера мегиред. Камераи тозатар, ҳосили беҳтар - ин ҳамон мустақим аст.

Аз ҷиҳати механикӣ, рӯйпӯш часпида мемонад. Мо барои часпидан корҳои зиёдеро анҷом додем, аз ин рӯ, ҳатто вақте ки қисм зарбаи гармиро аз сар мегузаронад, шумо пуфак ё пӯст намекашед. Сохтори зичии CVD низ ба ин кӯмак мекунад. Истифодабарандагон аксар вақт мӯҳлати хизмати онро нисбат ба графити бепӯшиш чанд маротиба дарозтар мебинанд, ки ин маънои онро дорад, ки вақти камтар барои тоза кардани камера ва иваз кардани қисмҳо кор мекунад.

Одатан онҳоро аз куҷо пайдо мекунед?

GaN MOCVD ва HVPE — LEDҳо, дастгоҳҳои барқӣ, чипҳои RF, Micro-LED. Ҳарорати равандҳо аз 1000 °C то 1100 °C аст, ки ин нуқтаи беҳтарин барои ин системаи мавод аст.

GaAs MOCVD — VCSEL, лазерҳои алоқаи оптикӣ, сенсорҳои инфрасурх, қисмҳои RF. Талаботи якхелаи гармӣ, химияи каме фарқкунанда, ниёз ба як интиқолдиҳандаи тоза ва устувор.

Таҷҳизоти умумии нимноқилҳои ҳарорати баланд — ғайр аз реакторҳои эпитаксия, онҳо дар маҷмӯаҳои интиқолдиҳандаҳои пластинаҳо ва ҷузъҳои минтақаи гармӣ, ки дар онҳо тозагӣ ва устувории гармӣ муҳиманд, пайдо мешаванд.

Чӣ гуна мо сифатро мунтазам нигоҳ медорем

Шумо метавонед беҳтарин графит ва беҳтарин кимиёи рӯйпӯшро дошта бошед, аммо агар ин раванд ба таври мувофиқ анҷом дода нашавад, қисм кор намекунад. Мо синфҳои графитиро дар асоси гузаронандагии гармӣ, зичӣ ва устувории андозагирии дарозмуддат интихоб мекунем. Сипас, қадами CVD ба ҳар як тарҳ танзим карда мешавад - махсусан барои суссепторҳои диаметри калон ё ҳама чизе, ки геометрияи мураккаб дорад, муҳим аст. Ҳадаф фарогирии яксон ва часпиши қавӣ, набудани доғҳои тунук ё канорҳои заиф аст.

Ҳар як партия аз якчанд нуқтаҳои санҷишӣ мегузарад: ғафсии рӯйпӯш, ноҳамвории сатҳ, андозаҳои муҳим, покӣ ва якпорчагии умумии рӯйпӯш. Ин ҷолиб нест, аммо он чизест, ки ҳисобкунии зарраҳоро нигоҳ медорад ва ба шумо имкон медиҳад, ки раванди худро бе сюрпризҳои нохуш такрор кунед.

Чаро ба ҷои графити луч, пӯшиши SiC-ро интихоб кардан лозим аст?

Ба таври оддӣ: графити луч хӯрда мешавад. Графити бо SiC пӯшонидашуда хӯрда намешавад. Аниқтараш, шумо ба даст меоред:

● Муқовимати хеле беҳтар ба газҳои зангзананда

● Бо мурури замон тавлиди зарраҳо хеле камтар

● Мӯҳлати истифодаи дарозтар пеш аз иваз кардан

● Шароити раванди устувортар

● Ҳосили баланди вафли вафлӣ

Ин комбинатсия мантиқӣ аст - графит гармиро интиқол медиҳад, SiC сӯиистифода аз кимиёвиро мегирад. Дар эпитаксияи нимноқилҳои мураккаб, ин бо ягон сабаб роҳи ҳалли асосӣ шудааст.

Customization

Мо қариб ҳеҷ гоҳ як қисми дақиқро ду маротиба намесозем. Аксари он чизе, ки мо мефиристем, мувофиқи расми муштарӣ сохта мешавад ё ба модели мушаххаси реактор танзим карда мешавад. Мо метавонем танзим кунем:

● Андозаи вафл ва тарҳбандии ҷайб

● Шумора ва тартиби ҷайбҳо

● Нақшаҳои сӯрохиҳо ва сӯрохиҳои гузаранда

● Ғафсии умумӣ

● Талабот ба анҷоми рӯизаминӣ

Прототипҳо ва ҳаҷми истеҳсолот ҳарду хубанд — мо бо шумо ҳамкорӣ хоҳем кард, новобаста аз он ки ба шумо якчанд қисмҳои санҷишӣ ё интиқоли мунтазам лозим аст.

Суолҳои

Сусептори бо пӯшонидашудаи SiC чӣ кор мекунад?

Он вафлиҳоро ҳангоми афзоиши эпитаксиалӣ нигоҳ медорад, гармиро дар сатҳи вафли баробар паҳн мекунад ва қабати SiC-ро барои муҳофизати графит аз газҳои раванди зангзананда истифода мебарад.

Чаро танҳо графити бепӯшишро истифода набаред?

Графити пӯшониданашуда дар газҳо ба монанди аммиаки гарм ва гидроген хеле зуд занг мезанад. Ин зарраҳоро ба вуҷуд меорад, мӯҳлати истифодаи қисмҳоро кӯтоҳ мекунад ва ба ҳосилнокӣ зарар мерасонад. Рӯйпӯши SiC ҳар се мушкилотро ҳал мекунад.

Оё шумо метавонед инҳоро барои реакторҳои гуногун созед?

Албатта. Мо андозаҳо, тарҳбандии ҷайбҳо ва нақшҳои сӯрохиро барои мувофиқат бо ҳар асбоби MOCVD ё HVPE, ки шумо истифода мебаред, танзим мекунем.

Онҳо барои кадом равандҳо мувофиқанд?

LED-и GaN, барқ ​​ва RF epi; Micro-LED; эпитаксияи VCSEL ва GaAs — дар ҳама ҷое, ки ба шумо интиқолдиҳандаи тоза ва аз ҷиҳати гармӣ устувор дар ҳарорати баланд лозим аст.