8-дюймаи TaC бо қабати ҳаво шино новаи барои SiC Epitaxy

Табақи шинокунандаи ҳавоии 8-дюймаи TaC як ҷузъи муҳими равандҳои эпитаксияи бисёрвафлии SiC мебошад, ки барои дастгирӣ ва интиқол додани вафли карбиди кремний ҳангоми афзоиши эпитаксиалӣ пешбинӣ шудааст. Дар муҳити серталаби печҳои эпитаксисии SiC, ҷўйборҳо бояд ба ҳарорати аз ҳад баланд, газҳои зангзананда ва давраҳои дарозмуддати коркард тоб оваранд. Бо омезиши рӯйпӯши CVD TaC бо субстратҳои графити тоза, ин табақи шинокунандаи ҳаво устувории олӣ, устувории гармӣ ва якрангии равандро таъмин мекунад ва онро як асбоби муҳим дар истеҳсоли вафли баландҳаҷми SiC месозад.

Ⅰ. Таркиби моддӣ ва хосиятҳои физикӣ

Табақи шинокунандаи ҳавоии TaC барои ба даст овардани ҳам устувории механикӣ ва ҳам муқовимати кимиёвӣ, ки дар эпитаксияи нимноқил лозим аст, маводҳои пешрафтаро муттаҳид мекунад:

●Маводи субстрат: Ҳасбкунандаи графити тозагии баланд (мӯҳтавои наҷосати олӣ, гармии баланд)

●Қабати муҳофизати сатҳи: CVD TaC Coating (Тантал карбиди) тавассути пошидани буғи кимиёвӣ барои фарсудашавии шадид ва муқовимат ба зангзанӣ истифода мешавад

Хусусиятҳои асосии физикӣ:

Тозагии молидани TaC: ≥ 99.99%

Сахтӣ (HK): ~ 2000 HK

Нуқтаи обшавӣ: ~3,880 °C

Қобилияти гармидиҳӣ: Аъло, гармии якхелаи вафлиро таъмин мекунад

Муқовимат ба зангзании галоген: устувории барҷаста дар муҳити эпитаксиалии аз хлор ва фтор бой

Зичии асосии графити: ~1.85–1.95 г/см³

Ҳарорати корӣ: То 2,000 °C дар муҳити назоратшаванда

Ин хосиятҳо кафолат медиҳанд, ки табақи 8 дюймаи TaC-и пӯшида метавонад ба давишҳои тӯлонии эпитаксиалӣ тоб оварда, тавлиди зарраҳо ва олудашавии вафлиро кам кунад.

Ⅱ. Вазифаҳои асосӣ дар SiC Epitaxy

Табақи 8-дюймаи TaC-и мо дар раванди эпитаксиияи нимноқилҳои SiC бо иҷрои якчанд вазифаҳои муҳим нақши муҳим мебозад:

●Тақсимоти якхелаи ҳарорат: Қобилияти баланди гармидиҳии субстрати графитӣ ва рӯйпӯши TaC интиқоли аълои гармӣ ва ҳарорати якхеларо дар тамоми вафлиҳои SiC таъмин мекунад. Ин якрангӣ барои ноил шудан ба ғафсӣ ва морфологияи қабати эпитаксиалӣ муҳим аст.

●Ҳифз аз ифлосшавӣ ва ифлосшавӣ: Сарпӯши аз ҷиҳати кимиёвии ғайрифаъолшудаи TaC ба таври муассир реаксияи субстрати графитро бо газҳои прекурсорӣ пешгирӣ мекунад, ки метавонад боиси ифлосшавӣ ва ифлосшавии заррачаҳо ба вуҷуд ояд. Ин муҳофизат калиди нигоҳ доштани муҳити тозаи раванд ва таъмини ҳосили баланди вафли мебошад.

●Мӯҳлати умри дароз: Сарпӯши устувори TaC мӯҳлати истифодаи ҳассосро тавассути муҳофизат кардани графит аз фарсудашавӣ ва таназзули кимиёвӣ, кам кардани басомади иваз ва кам кардани хароҷоти амалиётӣ ба таври назаррас дароз мекунад.

●Тарҳрезии шинокунандаи ҳаво: Тарҳрезии беназири шинокунандаи ҳаво алоқаи ҷисмониро байни ҳассос ва камера кам карда, соишро коҳиш медиҳад ва тавлиди зарраҳои эҳтимолиро, ки метавонад пластинкаҳоро олуда кунад, пешгирӣ мекунад. Ин тарҳ аз он сабаб аст, ки он инчунин ҳамчун табақчаи шинокунандаи ҳавоии TaC маълум аст.

Афзалиятҳои Semixlab

Дар Semixlab, мо аз доираи маҳсулоти стандартӣ берун меравем, то ҳалли мувофиқеро пешниҳод кунем, ки ба эҳтиёҷоти мушаххаси раванди эпитаксионии шумо ҷавобгӯ бошанд.

● Мутобиқсозӣ: Мо имконоти ҳамаҷонибаи мутобиқсозӣ, аз ҷумла шаклҳо, андозаҳо ва ғафсии рӯйпӯшро пешниҳод менамоем, то ба хусусиятҳои реактори шумо ва талаботҳои раванд комилан мувофиқат кунанд.

● Машварати техникии коршиносон: Дастаи муҳандисони ботаҷрибаи мо дастгирии амиқи техникӣ ва машваратро пешкаш мекунад, ки ба шумо дар оптимизатсияи раванд ва ҳамгироии маҳсулоти мо ба таври бефосила кӯмак мекунад.

●Санҷиши ҷиддии пеш аз интиқол: Ҳар як лавҳаи Coated TaC пеш аз фиристодан аз озмоиши шадиди ҳолати худ мегузарад. Мо коршоямӣ ва якпорчагии онро дар ҳарорати баланд ва дар муҳити аз ҷиҳати кимиёвӣ хашмгин тафтиш мекунем, то боварӣ ҳосил кунем, ки он эҳтиёҷоти амалиётии шуморо қонеъ мекунад.