Тигели графити пиролитикӣ

Графити пиролитикии Semixlab (PG) барои рушди ягонаи кристалл SiC як ҷузъи аслии бо дақиқ муҳандисишуда мебошад, ки махсус барои афзоиши буғҳои физикии 4H ва 6H-SiC тарҳрезӣ шудааст, ки дар электроникаи насли оянда истифода мешаванд. Графити пиролитикӣ бо истифода аз усулҳои пошидани буғҳои кимиёвӣ истеҳсол карда мешавад, ки дар ҳарорати аз 2200 ° C зиёд покии баланд, якрангии олии гармӣ ва якпорчагии истисноии сохториро пешниҳод мекунад. Ин хусусиятҳо PG-ро барои оташдонҳои сублиматсияи баландсифати SiC мавод интихоб мекунанд, ки дар он мукаммалии кристаллӣ, устувории ҳарорат ва назорати ифлосшавӣ ҳосили вафли ва кори барқро мустақиман муайян мекунанд.

Дар доираи раванди SiC PVT, тигели графити пиролитикӣ камераи сублиматсияи марказиро ташкил медиҳад, ки хокаи манбаи SiC дорад ва градиентҳои муҳими ҳароратро барои афзоиши назоратшавандаи кристалл муайян мекунад. Қобилияти гармидиҳии анизотропии PG - баландтар дар ҳамворӣ ва ғафсӣ пасттар - имкон медиҳад, ки майдони гармидиҳӣ ба таҳияи профилҳои оптимизатсияи ҳароратҳои меҳварӣ ва радиалӣ мусоидат кунад, ки ташаккули нуқсонҳоро ба монанди BPDs, TSDs, микроқубурҳо ва хатогиҳои стеке кам мекунад. Порозияи бениҳоят паст ва рехтани зарраҳои тақрибан сифри он допинг ва ифлосшавии беихтиёрро ба таври назаррас коҳиш дода, истеҳсоли устувори кристаллҳои навъи n ва нимизолятсияи SiC-ро дар давраҳои тӯлонии афзоиш, ки аксар вақт якчанд рӯз тӯл мекашанд, таъмин мекунад.

Ноустувории кимиёвии графити пиролитикӣ дар нигоҳ доштани муҳити сублиматсияи тоза дар тамоми давраи PVT нақши муҳим мебозад. Баръакси графити анъанавӣ, PG ҳангоми таъсири дарозмуддат ба ҳарорати баланд ва шароити вакуум газҳои дарунсохташуда ё ифлосиҳои боқимондаро раҳо намекунад. Ин устуворӣ ба ҷилавгирӣ аз воридшавии наҷосат ба монанди оксиген, нитроген ва ифлоскунандаҳои металлӣ кӯмак мекунад ва ба ин васила истеҳсоли маводи муқовимати баланд барои дастгоҳҳои РБ ва инчунин субстратҳои баландсифати SiC барои MOSFETs, диодҳои Шоттки ва модулҳои баландшиддатро дастгирӣ мекунад.

Раванди истеҳсоли Semixlab кафолат медиҳад, ки ҳар як тигели PG зичии доимӣ, қабати якхела дар CVD гузошташуда ва таҳаммулпазирии дақиқи андозагириро барои моделсозии гармии такроршаванда ва эътимоднокии дарозмуддати танӯр пешниҳод мекунад. Равандҳои пешрафтаи коркард ва тозакунӣ сатҳи ҳамвори дохилӣ, коҳиши тавлиди зарраҳо ва тағирёбии доимии пасти барқ ​​​​ва гармиро аз партия ба партия таъмин мекунанд. Ин эътимоднокӣ барои нигоҳ доштани суръати мӯътадили афзоиш, градиентҳои пешбинишавандаи ҳарорат ва кам кардани бекористии печҳо дар хатҳои истеҳсолии кристаллҳои бузурги SiC муҳим аст.

Вақте ки саноати нимноқилҳо рушди худро ба сӯйи қубурҳои диаметри калонтарини SiC суръат мебахшад, талабот ба онҳо афзоиш меёбад.. Semixlab Crucible графити пиролитикӣ барои SiC Single Crystal Growth таҳкурсии баландсифат ва ифлосшавии назоратшавандаро барои системаҳои PVT, ки 150 мм ва 200 миллиметри сиифӣ доранд, таъмин мекунад. Бо омезиши қобилияти ултра-баланд, анизотропияи гармидиҳии муҳандисӣ ва тозагии истисноӣ, Semixlab ба истеҳсолкунандагони вафель имкон медиҳад, ки сифати баландтари кристалл, мӯҳлати дарозтари оташдон ва такроршавандагии бештари равандро ба даст оранд - дастгирии тавсеаи ҷаҳонии EV, энергияи барқароршаванда ва технологияҳои табдили нерӯи саноатӣ.